| 管理番号 |
分析条件 |
備考 |
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（試料調製）各試料の粉末0.5 gに酢酸エチル5.0 mLを加え、約5分間超音波処理を行った。自然ろ過後、得られたろ液を試料溶液とした。
（TLC条件）注入量：5 μL、展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（3:1）、検出：UV照射（254 nm、366 nm）、4-メトキシベンズアルデヒド・硫酸試液噴霧後、放冷しUV照射（366 nm）
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A. 254nm
B. 366nm
C. 4-メトキシベンズアルデヒド・硫酸試液噴霧後366 nm
① NIB-0853 ② NIB-0854 ③ NIB-0855 ④ NIB-0856 ⑤ NIB-0857 ⑥ NIB-0858 ⑦ NIB-0859 ⑧ NIB-0860 ⑨ NIB-0861 ⑩ NIB-1114 |
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（試料調製）各試料の粉末0.5 gに酢酸エチル5.0 mLを加え、約5分間超音波処理を行った。自然ろ過後、得られたろ液を試料溶液とした。
（TLC条件）注入量：5 μL、展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（3:1）、検出：UV照射（254 nm、366 nm）、4-メトキシベンズアルデヒド・硫酸試液噴霧後、放冷しUV照射（366 nm）
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A. 254nm
B. 366nm
C. 4-メトキシベンズアルデヒド・硫酸試液噴霧後366 nm
① NIB-0853 ② NIB-0854 ③ NIB-0855 ④ NIB-0856 ⑤ NIB-0857 ⑥ NIB-0858 ⑦ NIB-0859 ⑧ NIB-0860 ⑨ NIB-0861 ⑩ NIB-1114 |
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（試料調製）各試料の粉末0.5 gに酢酸エチル5.0 mLを加え、約5分間超音波処理を行った。自然ろ過後、得られたろ液を試料溶液とした。
（TLC条件）注入量：5 μL、展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（3:1）、検出：UV照射（254 nm、366 nm）、4-メトキシベンズアルデヒド・硫酸試液噴霧後、放冷しUV照射（366 nm）
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A. 254nm
B. 366nm
C. 4-メトキシベンズアルデヒド・硫酸試液噴霧後366 nm
① NIB-0853 ② NIB-0854 ③ NIB-0855 ④ NIB-0856 ⑤ NIB-0857 ⑥ NIB-0858 ⑦ NIB-0859 ⑧ NIB-0860 ⑨ NIB-0861 ⑩ NIB-1114 |
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（試料調製）各試料の粉末0.5 gに酢酸エチル5.0 mLを加え、約5分間超音波処理を行った。自然ろ過後、得られたろ液を試料溶液とした。
（TLC条件）注入量：5 μL、展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（3:1）、検出：UV照射（254 nm、366 nm）、4-メトキシベンズアルデヒド・硫酸試液噴霧後、放冷しUV照射（366 nm）
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A. 254nm
B. 366nm
C. 4-メトキシベンズアルデヒド・硫酸試液噴霧後366 nm
① NIB-0853 ② NIB-0854 ③ NIB-0855 ④ NIB-0856 ⑤ NIB-0857 ⑥ NIB-0858 ⑦ NIB-0859 ⑧ NIB-0860 ⑨ NIB-0861 ⑩ NIB-1114 |
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（試料調製）各試料の粉末0.5 gに酢酸エチル5.0 mLを加え、約5分間超音波処理を行った。自然ろ過後、得られたろ液を試料溶液とした。
（TLC条件）注入量：5 μL、展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（3:1）、検出：UV照射（254 nm、366 nm）、4-メトキシベンズアルデヒド・硫酸試液噴霧後、放冷しUV照射（366 nm）
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A. 254nm
B. 366nm
C. 4-メトキシベンズアルデヒド・硫酸試液噴霧後366 nm
① NIB-0853 ② NIB-0854 ③ NIB-0855 ④ NIB-0856 ⑤ NIB-0857 ⑥ NIB-0858 ⑦ NIB-0859 ⑧ NIB-0860 ⑨ NIB-0861 ⑩ NIB-1114 |
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（試料調製）各試料の粉末0.5 gに酢酸エチル5.0 mLを加え、約5分間超音波処理を行った。自然ろ過後、得られたろ液を試料溶液とした。
（TLC条件）注入量：5 μL、展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（3:1）、検出：UV照射（254 nm、366 nm）、4-メトキシベンズアルデヒド・硫酸試液噴霧後、放冷しUV照射（366 nm）
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A. 254nm
B. 366nm
C. 4-メトキシベンズアルデヒド・硫酸試液噴霧後366 nm
① NIB-0853 ② NIB-0854 ③ NIB-0855 ④ NIB-0856 ⑤ NIB-0857 ⑥ NIB-0858 ⑦ NIB-0859 ⑧ NIB-0860 ⑨ NIB-0861 ⑩ NIB-1114 |
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（試料調製）各試料の粉末0.5 gに酢酸エチル5.0 mLを加え、約5分間超音波処理を行った。自然ろ過後、得られたろ液を試料溶液とした。
（TLC条件）注入量：5 μL、展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（3:1）、検出：UV照射（254 nm、366 nm）、4-メトキシベンズアルデヒド・硫酸試液噴霧後、放冷しUV照射（366 nm）
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A. 254nm
B. 366nm
C. 4-メトキシベンズアルデヒド・硫酸試液噴霧後366 nm
① NIB-0853 ② NIB-0854 ③ NIB-0855 ④ NIB-0856 ⑤ NIB-0857 ⑥ NIB-0858 ⑦ NIB-0859 ⑧ NIB-0860 ⑨ NIB-0861 ⑩ NIB-1114 |
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（試料調製）各試料の粉末0.5 gに酢酸エチル5.0 mLを加え、約5分間超音波処理を行った。自然ろ過後、得られたろ液を試料溶液とした。
（TLC条件）注入量：5 μL、展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（3:1）、検出：UV照射（254 nm、366 nm）、4-メトキシベンズアルデヒド・硫酸試液噴霧後、放冷しUV照射（366 nm）
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A. 254nm
B. 366nm
C. 4-メトキシベンズアルデヒド・硫酸試液噴霧後366 nm
① NIB-0853 ② NIB-0854 ③ NIB-0855 ④ NIB-0856 ⑤ NIB-0857 ⑥ NIB-0858 ⑦ NIB-0859 ⑧ NIB-0860 ⑨ NIB-0861 ⑩ NIB-1114 |
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（試料調製）各試料の粉末0.5 gに酢酸エチル5.0 mLを加え、約5分間超音波処理を行った。自然ろ過後、得られたろ液を試料溶液とした。
（TLC条件）注入量：5 μL、展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（3:1）、検出：UV照射（254 nm、366 nm）、4-メトキシベンズアルデヒド・硫酸試液噴霧後、放冷しUV照射（366 nm）
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A. 254nm
B. 366nm
C. 4-メトキシベンズアルデヒド・硫酸試液噴霧後366 nm
① NIB-0853 ② NIB-0854 ③ NIB-0855 ④ NIB-0856 ⑤ NIB-0857 ⑥ NIB-0858 ⑦ NIB-0859 ⑧ NIB-0860 ⑨ NIB-0861 ⑩ NIB-1114 |
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（試料調製）各試料の粉末0.5 gに酢酸エチル5.0 mLを加え、約5分間超音波処理を行った。自然ろ過後、得られたろ液を試料溶液とした。
（TLC条件）注入量：5 μL、展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（3:1）、検出：UV照射（254 nm、366 nm）、4-メトキシベンズアルデヒド・硫酸試液噴霧後、放冷しUV照射（366 nm）
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A. 254nm
B. 366nm
C. 4-メトキシベンズアルデヒド・硫酸試液噴霧後366 nm
① NIB-0853 ② NIB-0854 ③ NIB-0855 ④ NIB-0856 ⑤ NIB-0857 ⑥ NIB-0858 ⑦ NIB-0859 ⑧ NIB-0860 ⑨ NIB-0861 ⑩ NIB-1114 |
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