モデル試料 TLC画像一覧

管理番号 分析条件 備考
（試料調製）各試料の粉末0.2 gにn-ヘキサン1.0 mLを加え，1分間超音波処理を行った．遠心分離後，得られた上清を試料溶液とした．

（TLC条件）注入量：試料溶液各5 μL（標準溶液は10 μL），展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（1:1），検出：254 nm，366 nm，希硫酸試液噴霧後，加熱．
 A. 254nm
B. 366nm
C. 希硫酸試液(加熱)
dilute sulfuric acid

STD.paeonol
①NIB-268 ②NIB-275 ③NIB-276 ④NIB-277 ⑤NIB-278 ⑥NIB-279
⑦NIB-280 ⑧NIB-281 ⑨NIB-282 ⑩NIB-283 ⑪NIB-284 ⑫NIB-285
⑬NIB-286 ⑭NIB-287 ⑮NIB-288 ⑯NIB-417 ⑰NIB-434 ⑱NIB-438
⑲NIB-641 ⑳NIB-730
（試料調製）各試料の粉末0.2 gにn-ヘキサン1.0 mLを加え，1分間超音波処理を行った．遠心分離後，得られた上清を試料溶液とした．

（TLC条件）注入量：試料溶液各5 μL（標準溶液は10 μL），展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（1:1），検出：254 nm，366 nm，希硫酸試液噴霧後，加熱．
 A. 254nm
B. 366nm
C. 希硫酸試液(加熱)
dilute sulfuric acid

STD.paeonol
①NIB-268 ②NIB-275 ③NIB-276 ④NIB-277 ⑤NIB-278 ⑥NIB-279
⑦NIB-280 ⑧NIB-281 ⑨NIB-282 ⑩NIB-283 ⑪NIB-284 ⑫NIB-285
⑬NIB-286 ⑭NIB-287 ⑮NIB-288 ⑯NIB-417 ⑰NIB-434 ⑱NIB-438
⑲NIB-641 ⑳NIB-730
（試料調製）各試料の粉末0.2 gにn-ヘキサン1.0 mLを加え，1分間超音波処理を行った．遠心分離後，得られた上清を試料溶液とした．

（TLC条件）注入量：試料溶液各5 μL（標準溶液は10 μL），展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（1:1），検出：254 nm，366 nm，希硫酸試液噴霧後，加熱．
 A. 254nm
B. 366nm
C. 希硫酸試液(加熱)
dilute sulfuric acid

STD.paeonol
①NIB-268 ②NIB-275 ③NIB-276 ④NIB-277 ⑤NIB-278 ⑥NIB-279
⑦NIB-280 ⑧NIB-281 ⑨NIB-282 ⑩NIB-283 ⑪NIB-284 ⑫NIB-285
⑬NIB-286 ⑭NIB-287 ⑮NIB-288 ⑯NIB-417 ⑰NIB-434 ⑱NIB-438
⑲NIB-641 ⑳NIB-730
（試料調製）各試料の粉末0.2 gにn-ヘキサン1.0 mLを加え，1分間超音波処理を行った．遠心分離後，得られた上清を試料溶液とした．

（TLC条件）注入量：試料溶液各5 μL（標準溶液は10 μL），展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（1:1），検出：254 nm，366 nm，希硫酸試液噴霧後，加熱．
 A. 254nm
B. 366nm
C. 希硫酸試液(加熱)
dilute sulfuric acid

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①NIB-268 ②NIB-275 ③NIB-276 ④NIB-277 ⑤NIB-278 ⑥NIB-279
⑦NIB-280 ⑧NIB-281 ⑨NIB-282 ⑩NIB-283 ⑪NIB-284 ⑫NIB-285
⑬NIB-286 ⑭NIB-287 ⑮NIB-288 ⑯NIB-417 ⑰NIB-434 ⑱NIB-438
⑲NIB-641 ⑳NIB-730
（試料調製）各試料の粉末0.2 gにn-ヘキサン1.0 mLを加え，1分間超音波処理を行った．遠心分離後，得られた上清を試料溶液とした．

（TLC条件）注入量：試料溶液各5 μL（標準溶液は10 μL），展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（1:1），検出：254 nm，366 nm，希硫酸試液噴霧後，加熱．
 A. 254nm
B. 366nm
C. 希硫酸試液(加熱)
dilute sulfuric acid

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①NIB-268 ②NIB-275 ③NIB-276 ④NIB-277 ⑤NIB-278 ⑥NIB-279
⑦NIB-280 ⑧NIB-281 ⑨NIB-282 ⑩NIB-283 ⑪NIB-284 ⑫NIB-285
⑬NIB-286 ⑭NIB-287 ⑮NIB-288 ⑯NIB-417 ⑰NIB-434 ⑱NIB-438
⑲NIB-641 ⑳NIB-730
（試料調製）各試料の粉末0.2 gにn-ヘキサン1.0 mLを加え，1分間超音波処理を行った．遠心分離後，得られた上清を試料溶液とした．

（TLC条件）注入量：試料溶液各5 μL（標準溶液は10 μL），展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（1:1），検出：254 nm，366 nm，希硫酸試液噴霧後，加熱．
 A. 254nm
B. 366nm
C. 希硫酸試液(加熱)
dilute sulfuric acid

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①NIB-268 ②NIB-275 ③NIB-276 ④NIB-277 ⑤NIB-278 ⑥NIB-279
⑦NIB-280 ⑧NIB-281 ⑨NIB-282 ⑩NIB-283 ⑪NIB-284 ⑫NIB-285
⑬NIB-286 ⑭NIB-287 ⑮NIB-288 ⑯NIB-417 ⑰NIB-434 ⑱NIB-438
⑲NIB-641 ⑳NIB-730
（試料調製）各試料の粉末0.2 gにn-ヘキサン1.0 mLを加え，1分間超音波処理を行った．遠心分離後，得られた上清を試料溶液とした．

（TLC条件）注入量：試料溶液各5 μL（標準溶液は10 μL），展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（1:1），検出：254 nm，366 nm，希硫酸試液噴霧後，加熱．
 A. 254nm
B. 366nm
C. 希硫酸試液(加熱)
dilute sulfuric acid

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①NIB-268 ②NIB-275 ③NIB-276 ④NIB-277 ⑤NIB-278 ⑥NIB-279
⑦NIB-280 ⑧NIB-281 ⑨NIB-282 ⑩NIB-283 ⑪NIB-284 ⑫NIB-285
⑬NIB-286 ⑭NIB-287 ⑮NIB-288 ⑯NIB-417 ⑰NIB-434 ⑱NIB-438
⑲NIB-641 ⑳NIB-730
（試料調製）各試料の粉末0.2 gにn-ヘキサン1.0 mLを加え，1分間超音波処理を行った．遠心分離後，得られた上清を試料溶液とした．

（TLC条件）注入量：試料溶液各5 μL（標準溶液は10 μL），展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（1:1），検出：254 nm，366 nm，希硫酸試液噴霧後，加熱．
 A. 254nm
B. 366nm
C. 希硫酸試液(加熱)
dilute sulfuric acid

STD.paeonol
①NIB-268 ②NIB-275 ③NIB-276 ④NIB-277 ⑤NIB-278 ⑥NIB-279
⑦NIB-280 ⑧NIB-281 ⑨NIB-282 ⑩NIB-283 ⑪NIB-284 ⑫NIB-285
⑬NIB-286 ⑭NIB-287 ⑮NIB-288 ⑯NIB-417 ⑰NIB-434 ⑱NIB-438
⑲NIB-641 ⑳NIB-730
（試料調製）各試料の粉末0.2 gにn-ヘキサン1.0 mLを加え，1分間超音波処理を行った．遠心分離後，得られた上清を試料溶液とした．

（TLC条件）注入量：試料溶液各5 μL（標準溶液は10 μL），展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（1:1），検出：254 nm，366 nm，希硫酸試液噴霧後，加熱．
 A. 254nm
B. 366nm
C. 希硫酸試液(加熱)
dilute sulfuric acid

STD.paeonol
①NIB-268 ②NIB-275 ③NIB-276 ④NIB-277 ⑤NIB-278 ⑥NIB-279
⑦NIB-280 ⑧NIB-281 ⑨NIB-282 ⑩NIB-283 ⑪NIB-284 ⑫NIB-285
⑬NIB-286 ⑭NIB-287 ⑮NIB-288 ⑯NIB-417 ⑰NIB-434 ⑱NIB-438
⑲NIB-641 ⑳NIB-730
（試料調製）各試料の粉末0.2 gにn-ヘキサン1.0 mLを加え，1分間超音波処理を行った．遠心分離後，得られた上清を試料溶液とした．

（TLC条件）注入量：試料溶液各5 μL（標準溶液は10 μL），展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（1:1），検出：254 nm，366 nm，希硫酸試液噴霧後，加熱．
 A. 254nm
B. 366nm
C. 希硫酸試液(加熱)
dilute sulfuric acid

STD.paeonol
①NIB-268 ②NIB-275 ③NIB-276 ④NIB-277 ⑤NIB-278 ⑥NIB-279
⑦NIB-280 ⑧NIB-281 ⑨NIB-282 ⑩NIB-283 ⑪NIB-284 ⑫NIB-285
⑬NIB-286 ⑭NIB-287 ⑮NIB-288 ⑯NIB-417 ⑰NIB-434 ⑱NIB-438
⑲NIB-641 ⑳NIB-730
（試料調製）各試料の粉末0.2 gにn-ヘキサン1.0 mLを加え，1分間超音波処理を行った．遠心分離後，得られた上清を試料溶液とした．

（TLC条件）注入量：試料溶液各5 μL（標準溶液は10 μL），展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（1:1），検出：254 nm，366 nm，希硫酸試液噴霧後，加熱．
 A. 254nm
B. 366nm
C. 希硫酸試液(加熱)
dilute sulfuric acid

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①NIB-268 ②NIB-275 ③NIB-276 ④NIB-277 ⑤NIB-278 ⑥NIB-279
⑦NIB-280 ⑧NIB-281 ⑨NIB-282 ⑩NIB-283 ⑪NIB-284 ⑫NIB-285
⑬NIB-286 ⑭NIB-287 ⑮NIB-288 ⑯NIB-417 ⑰NIB-434 ⑱NIB-438
⑲NIB-641 ⑳NIB-730
（試料調製）各試料の粉末0.2 gにn-ヘキサン1.0 mLを加え，1分間超音波処理を行った．遠心分離後，得られた上清を試料溶液とした．

（TLC条件）注入量：試料溶液各5 μL（標準溶液は10 μL），展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（1:1），検出：254 nm，366 nm，希硫酸試液噴霧後，加熱．
 A. 254nm
B. 366nm
C. 希硫酸試液(加熱)
dilute sulfuric acid

STD.paeonol
①NIB-268 ②NIB-275 ③NIB-276 ④NIB-277 ⑤NIB-278 ⑥NIB-279
⑦NIB-280 ⑧NIB-281 ⑨NIB-282 ⑩NIB-283 ⑪NIB-284 ⑫NIB-285
⑬NIB-286 ⑭NIB-287 ⑮NIB-288 ⑯NIB-417 ⑰NIB-434 ⑱NIB-438
⑲NIB-641 ⑳NIB-730
（試料調製）各試料の粉末0.2 gにn-ヘキサン1.0 mLを加え，1分間超音波処理を行った．遠心分離後，得られた上清を試料溶液とした．

（TLC条件）注入量：試料溶液各5 μL（標準溶液は10 μL），展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（1:1），検出：254 nm，366 nm，希硫酸試液噴霧後，加熱．
 A. 254nm
B. 366nm
C. 希硫酸試液(加熱)
dilute sulfuric acid

STD.paeonol
①NIB-268 ②NIB-275 ③NIB-276 ④NIB-277 ⑤NIB-278 ⑥NIB-279
⑦NIB-280 ⑧NIB-281 ⑨NIB-282 ⑩NIB-283 ⑪NIB-284 ⑫NIB-285
⑬NIB-286 ⑭NIB-287 ⑮NIB-288 ⑯NIB-417 ⑰NIB-434 ⑱NIB-438
⑲NIB-641 ⑳NIB-730
（試料調製）各試料の粉末0.2 gにn-ヘキサン1.0 mLを加え，1分間超音波処理を行った．遠心分離後，得られた上清を試料溶液とした．

（TLC条件）注入量：試料溶液各5 μL（標準溶液は10 μL），展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（1:1），検出：254 nm，366 nm，希硫酸試液噴霧後，加熱．
 A. 254nm
B. 366nm
C. 希硫酸試液(加熱)
dilute sulfuric acid

STD.paeonol
①NIB-268 ②NIB-275 ③NIB-276 ④NIB-277 ⑤NIB-278 ⑥NIB-279
⑦NIB-280 ⑧NIB-281 ⑨NIB-282 ⑩NIB-283 ⑪NIB-284 ⑫NIB-285
⑬NIB-286 ⑭NIB-287 ⑮NIB-288 ⑯NIB-417 ⑰NIB-434 ⑱NIB-438
⑲NIB-641 ⑳NIB-730
（試料調製）各試料の粉末0.2 gにn-ヘキサン1.0 mLを加え，1分間超音波処理を行った．遠心分離後，得られた上清を試料溶液とした．

（TLC条件）注入量：試料溶液各5 μL（標準溶液は10 μL），展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（1:1），検出：254 nm，366 nm，希硫酸試液噴霧後，加熱．
 A. 254nm
B. 366nm
C. 希硫酸試液(加熱)
dilute sulfuric acid

STD.paeonol
①NIB-268 ②NIB-275 ③NIB-276 ④NIB-277 ⑤NIB-278 ⑥NIB-279
⑦NIB-280 ⑧NIB-281 ⑨NIB-282 ⑩NIB-283 ⑪NIB-284 ⑫NIB-285
⑬NIB-286 ⑭NIB-287 ⑮NIB-288 ⑯NIB-417 ⑰NIB-434 ⑱NIB-438
⑲NIB-641 ⑳NIB-730
（試料調製）各試料の粉末0.2 gにn-ヘキサン1.0 mLを加え，1分間超音波処理を行った．遠心分離後，得られた上清を試料溶液とした．

（TLC条件）注入量：試料溶液各5 μL（標準溶液は10 μL），展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（1:1），検出：254 nm，366 nm，希硫酸試液噴霧後，加熱．
 A. 254nm
B. 366nm
C. 希硫酸試液(加熱)
dilute sulfuric acid

STD.paeonol
①NIB-268 ②NIB-275 ③NIB-276 ④NIB-277 ⑤NIB-278 ⑥NIB-279
⑦NIB-280 ⑧NIB-281 ⑨NIB-282 ⑩NIB-283 ⑪NIB-284 ⑫NIB-285
⑬NIB-286 ⑭NIB-287 ⑮NIB-288 ⑯NIB-417 ⑰NIB-434 ⑱NIB-438
⑲NIB-641 ⑳NIB-730
（試料調製）各試料の粉末0.2 gにn-ヘキサン1.0 mLを加え，1分間超音波処理を行った．遠心分離後，得られた上清を試料溶液とした．

（TLC条件）注入量：試料溶液各5 μL（標準溶液は10 μL），展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（1:1），検出：254 nm，366 nm，希硫酸試液噴霧後，加熱．
 A. 254nm
B. 366nm
C. 希硫酸試液(加熱)
dilute sulfuric acid

STD.paeonol
①NIB-268 ②NIB-275 ③NIB-276 ④NIB-277 ⑤NIB-278 ⑥NIB-279
⑦NIB-280 ⑧NIB-281 ⑨NIB-282 ⑩NIB-283 ⑪NIB-284 ⑫NIB-285
⑬NIB-286 ⑭NIB-287 ⑮NIB-288 ⑯NIB-417 ⑰NIB-434 ⑱NIB-438
⑲NIB-641 ⑳NIB-730
（試料調製）各試料の粉末0.2 gにn-ヘキサン1.0 mLを加え，1分間超音波処理を行った．遠心分離後，得られた上清を試料溶液とした．

（TLC条件）注入量：試料溶液各5 μL（標準溶液は10 μL），展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（1:1），検出：254 nm，366 nm，希硫酸試液噴霧後，加熱．
 A. 254nm
B. 366nm
C. 希硫酸試液(加熱)
dilute sulfuric acid

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①NIB-268 ②NIB-275 ③NIB-276 ④NIB-277 ⑤NIB-278 ⑥NIB-279
⑦NIB-280 ⑧NIB-281 ⑨NIB-282 ⑩NIB-283 ⑪NIB-284 ⑫NIB-285
⑬NIB-286 ⑭NIB-287 ⑮NIB-288 ⑯NIB-417 ⑰NIB-434 ⑱NIB-438
⑲NIB-641 ⑳NIB-730
（試料調製）各試料の粉末0.2 gにn-ヘキサン1.0 mLを加え，1分間超音波処理を行った．遠心分離後，得られた上清を試料溶液とした．

（TLC条件）注入量：試料溶液各5 μL（標準溶液は10 μL），展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（1:1），検出：254 nm，366 nm，希硫酸試液噴霧後，加熱．
 A. 254nm
B. 366nm
C. 希硫酸試液(加熱)
dilute sulfuric acid

STD.paeonol
①NIB-268 ②NIB-275 ③NIB-276 ④NIB-277 ⑤NIB-278 ⑥NIB-279
⑦NIB-280 ⑧NIB-281 ⑨NIB-282 ⑩NIB-283 ⑪NIB-284 ⑫NIB-285
⑬NIB-286 ⑭NIB-287 ⑮NIB-288 ⑯NIB-417 ⑰NIB-434 ⑱NIB-438
⑲NIB-641 ⑳NIB-730
（試料調製）各試料の粉末0.2 gにn-ヘキサン1.0 mLを加え，1分間超音波処理を行った．遠心分離後，得られた上清を試料溶液とした．

（TLC条件）注入量：試料溶液各5 μL（標準溶液は10 μL），展開溶媒：n-ヘキサン/酢酸エチル（1:1），検出：254 nm，366 nm，希硫酸試液噴霧後，加熱．
 A. 254nm
B. 366nm
C. 希硫酸試液(加熱)
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①NIB-268 ②NIB-275 ③NIB-276 ④NIB-277 ⑤NIB-278 ⑥NIB-279
⑦NIB-280 ⑧NIB-281 ⑨NIB-282 ⑩NIB-283 ⑪NIB-284 ⑫NIB-285
⑬NIB-286 ⑭NIB-287 ⑮NIB-288 ⑯NIB-417 ⑰NIB-434 ⑱NIB-438
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